24. bis 28. Oktober 2021

ECSCRM 2020/2021

Vom 24. bis 28. Oktober 2021 präsentieren wir uns und unsere Produkte für die Herstellung von SiC Power Devices auf der ECSCRM in Tours, Frankreich. Erfahren Sie alles über den Einsatz von laserbasierter Ohmic Contact Formation bei Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleitern bei einem Besuch auf unserem Messestand.

Die 13. Europäische Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Materialien (ECSCRM) 2020/2021 findet im Internationalen Kongresszentrum Vinci (Palais des congrès) statt. Auf der ECSCRM werdem alle zwei Jahre die neuesten Errungenschaften auf dem Gebiet der Breitband-Halbleiter mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbid (SiC) und anderen Halbleitern mit großer Bandlücke präsentiert und diskutiert. Zu den diesjährigen Themenschwerpunkten der ECSCRM gehören theoretische und experimentelle Grundlagen, Massen- und Epitaxiewachstum, neue Materialien, die auf SiC gewachsen sind, Materialcharakterisierung, Oberflächen und Grenzflächen, Bauelementherstellungsprozesse, Bauelemente und Bauelementphysik, Verpackung, Anwendungen, Zuverlässigkeit und leistungsbezogene Materialien…

Wir freuen uns darauf, Sie in Tours zu sehen!

Veranstaltungsort:

Tours, Frankreich

Vinci International Convention Centre

Standnummer: 44

Process OCF