microPRO™ XS für OCF

Selektives Laser-Annealing für die Ohmsche Kontaktformation (OCF)

Das microPRO™ XS Laserbearbeitungssystem eignet sich perfekt für die ohmsche Kontaktbildung (OCF) in Leistungsbauelementen aus Siliziumkarbid (SiC).

Durch die Kombination eines innovativen Laseroptikmoduls mit der hochmodularen 3D-Micromac-Plattform ermöglicht das microPRO™ XS System selektives Annealing mit einem hohen Maß an Wiederholbarkeit und Durchsatz.

Das microPRO™ XS System verfügt über eine diodengepumpte Festkörperlaserquelle mit UV-Wellenlänge (DPSS), die Pulse im Nanosekundenbereich und Spot-Scanning zur Bearbeitung der gesamten metallisierten Rückseite von SiC-Wafern nutzt. Beim Laser-Annealing werden ohmsche Grenzflächen gebildet und Schleifdefekte ausgehärtet – gleichzeitig wird die Bildung großer Kohlenstoffcluster sowie hitzebedingte Schäden an der Vorderseite des Wafers verhindert.

Erfahren Sie mehr zum Selektiven Laser-Annealing mittels Ohmscher Kontaktformation (OCF) mit der microPRO XS und laden Sie unser kostenfreies Whitepaper (in englischer Sprache) herunter!

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