microDICE™

TLS-Dicing™ System zum Separieren von Silizium- und Siliziumkarbid-Wafern

Das microDICE™ -Lasermikrobearbeitungssystem nutzt die TLS-Dicing™-Technologie (thermisches Laserstrahlseparieren) – eine einzigartige Technologie, die thermisch induzierte mechanische Kräfte zum Trennen von Wafern aus spröden Halbleitermaterialien verwendet. Somit können Wafer aus Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Germanium (Ge) und Galliumarsenid (GaAs) mit hervorragender Kantenqualität in Chips separiert werden. Im Vergleich zu herkömmlichen Trenntechnologien wie dem mechanischen Sägen oder der Laserablation ermöglicht TLS-Dicing™ einen sauberen Prozess, mikrorissfreie Kanten und eine höhere Biegefestigkeit bei gleichzeitiger Steigerung der Chipausbeute.

Das microDICE™-System ist für die Bearbeitung von 300-mm-Wafern geeignet und erreicht Dicing-Geschwindigkeiten von bis zu 300 mm pro Sekunde und bietet damit im Vergleich zu herkömmlichen Dicing-Verfahren eine bis zu zehnfache Steigerung des Durchsatzes in Siliziumkarbid.

Im Vergleich zu anderen Dicing-Verfahren reduziert microDICE™ die Dicing-Kosten pro Wafer in Größenordnungen. Aufgrund der kontaktlosen Laserbearbeitung gibt es keinen Werkzeugverschleiß. Zudem sind keine teuren Verbrauchsmaterialien wie beispielsweise Sägeblätter erforderlich. Dies resultiert in bis zu 15-fach niedrigeren Betriebskosten über die gesamte Lebensdauer des Dicing-Systems.

TLS-Dicing™ ist ein Spaltprozess, durch den sich die Straßenbreite zwischen den Chips weiter reduzieren lässt. Dies bietet die Möglichkeit, eine höhere Anzahl Chips pro Wafer herzustellen.

Kontakt

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Dr. Hans-Ulrich Zühlke
sales@3d-micromac.com